Исследование количественного состава и свойств ионно-имплантированных слоев Si, GaAs и сплава Pd-Ba методами вторичной электронной спектроскопии: (01.04.04): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / Моск. физ.-техн. ин-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Ташатов, А. К. |
| Опубликовано: | М. , 1990 |
| Физические характеристики: |
18 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr31896390000 | ||
| 005 | 20070704192320.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [90-14162а] |
| 100 | # | # | $a 20070704d1990 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Исследование количественного состава и свойств ионно-имплантированных слоев Si, GaAs и сплава Pd-Ba методами вторичной электронной спектроскопии $e (01.04.04) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $f Моск. физ.-техн. ин-т |
| 210 | # | # | $a М. $d 1990 |
| 215 | # | # | $a 18 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 16-18 (13 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.04 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Ташатов $b А. К. $g Алланазар Каршиевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070704 $g psbo |