Исследование количественного состава и свойств ионно-имплантированных слоев Si, GaAs и сплава Pd-Ba методами вторичной электронной спектроскопии: (01.04.04): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / Моск. физ.-техн. ин-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Ташатов, А. К. |
| Опубликовано: | М. , 1990 |
| Физические характеристики: |
18 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||