Применение эпитаксиальной технологии для создания силовых кремниевых диодов: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.27.01) / Взесоюз. электротехн. ин-т им. В. И. Ленина
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Тарма, М. Т. |
| Опубликовано: | Таллин , 1984 |
| Физические характеристики: |
22 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr31862680000 | ||
| 005 | 20070704192002.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070704d1984 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a EE |
| 200 | 1 | # | $a Применение эпитаксиальной технологии для создания силовых кремниевых диодов $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук $e (05.27.01) $f Взесоюз. электротехн. ин-т им. В. И. Ленина |
| 210 | # | # | $a Таллин $d 1984 |
| 215 | # | # | $a 22 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 20-22 (15 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 05.27.01 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Тарма $b М. Т. $g Майе Тимотхеусовна |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070704 $g psbo |