Применение эпитаксиальной технологии для создания силовых кремниевых диодов: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.27.01) / Взесоюз. электротехн. ин-т им. В. И. Ленина
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Тарма, М. Т. |
| Опубликовано: | Таллин , 1984 |
| Физические характеристики: |
22 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||