Механизмы тока и процессы рекомбинации носителей заряда в SIC p-n-структурах: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Рос. АН, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе

Сохранено в:
Шифр документа: 179659/92,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Стрелъчук, А. М.
Опубликовано: СПб. , 1992
Физические характеристики: 20 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr31513210000
005 20070629163750.0
100 # # $a 20070629d1992 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Механизмы тока и процессы рекомбинации носителей заряда в SIC p-n-структурах  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10)  $f Рос. АН, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе 
210 # # $a СПб.  $d 1992 
215 # # $a 20 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 18-20 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Стрелъчук  $b А. М.  $g Анатолий Маркович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070629  $g psbo