Механизмы тока и процессы рекомбинации носителей заряда в SIC p-n-структурах: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Рос. АН, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Стрелъчук, А. М. |
Опубликовано: | СПб. , 1992 |
Физические характеристики: |
20 с.
|
Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|