Разработка технологии получения слаболегированного GaAs и создания на его основе силовых диодов и тиристоров: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Степанова, М. Н. |
| Опубликовано: | Л. , 1981 |
| Физические характеристики: |
22 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr31428120000 | ||
| 005 | 20070629161438.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070629d1981 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Разработка технологии получения слаболегированного GaAs и создания на его основе силовых диодов и тиристоров $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) |
| 210 | # | # | $a Л. $d 1981 |
| 215 | # | # | $a 22 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. Библиогр.: с. 20-21 (11 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Степанова $b М. Н. $g Мирьями Николаевна |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070629 $g psbo |