Разработка технологии получения слаболегированного GaAs и создания на его основе силовых диодов и тиристоров: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Степанова, М. Н. |
| Опубликовано: | Л. , 1981 |
| Физические характеристики: |
22 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||