Разработка и исследование полупроводниковых датчиков линейных и угловых перемещений на основе магниторезистивного эффекта: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. техн. наук / Моск. энерг. ин-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Станев, Н. В. |
| Опубликовано: | М. , 1975 |
| Физические характеристики: |
24 с. : граф.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr31324870000 | ||
| 005 | 20070628182324.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [75-12959а] |
| 100 | # | # | $a 20070628d1975 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Разработка и исследование полупроводниковых датчиков линейных и угловых перемещений на основе магниторезистивного эффекта $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. техн. наук $f Моск. энерг. ин-т |
| 210 | # | # | $a М. $d 1975 |
| 215 | # | # | $a 24 с. $c граф. |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Станев $b Н. В. $g Никола Василев |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070628 $g psbo |