Разработка и исследование полупроводниковых датчиков линейных и угловых перемещений на основе магниторезистивного эффекта: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. техн. наук / Моск. энерг. ин-т
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Станев, Н. В. |
Опубликовано: | М. , 1975 |
Физические характеристики: |
24 с. : граф.
|
Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|