Определение геометрических и электрофизических параметров полупроводниковых гетероструктур методами растровой электронной микроскопии: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АНСССР, физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Соловьев, В. А. |
Опубликовано: | Л. , 1991 |
Физические характеристики: |
20 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr31147210000 | ||
005 | 20070621145452.0 | ||
100 | # | # | $a 20070621d1991 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Определение геометрических и электрофизических параметров полупроводниковых гетероструктур методами растровой электронной микроскопии $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f АНСССР, физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе |
210 | # | # | $a Л. $d 1991 |
215 | # | # | $a 20 с. |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 18-20 (20 назв.) |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Соловьев $b В. А. $g Виктор Алексеевич |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070621 $g psbo |