Определение геометрических и электрофизических параметров полупроводниковых гетероструктур методами растровой электронной микроскопии: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АНСССР, физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе

Сохранено в:
Шифр документа: 172958/91,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Соловьев, В. А.
Опубликовано: Л. , 1991
Физические характеристики: 20 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr31147210000
005 20070621145452.0
100 # # $a 20070621d1991 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Определение геометрических и электрофизических параметров полупроводниковых гетероструктур методами растровой электронной микроскопии  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10)  $f АНСССР, физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе 
210 # # $a Л.  $d 1991 
215 # # $a 20 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 18-20 (20 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Соловьев  $b В. А.  $g Виктор Алексеевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070621  $g psbo