Получение и исследование электрофизических свойств фотодиодных матриц на базе p-n-переходов в кремнии и Si-SnO2 и использование их для модуляции электромагнитного излучения: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.07) / Львов. гос. ун-т им. И. Франко
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Симчич, Н. Н. |
| Опубликовано: | Львов , 1983 |
| Физические характеристики: |
24 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000cam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr30686550000 | ||
| 005 | 20220126122838.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070615d1983 y0rusy50 ||||ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UA |
| 200 | 1 | # | $a Получение и исследование электрофизических свойств фотодиодных матриц на базе p-n-переходов в кремнии и Si-SnO2 и использование их для модуляции электромагнитного излучения $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.07) $f Львов. гос. ун-т им. И. Франко |
| 210 | # | # | $a Львов $d 1983 |
| 215 | # | # | $a 24 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 23-24 (10 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.07 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Симчич $b Н. Н. $g Николай Николаевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070615 $g psbo |