Получение и исследование электрофизических свойств фотодиодных матриц на базе p-n-переходов в кремнии и Si-SnO2 и использование их для модуляции электромагнитного излучения: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.07) / Львов. гос. ун-т им. И. Франко
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Симчич, Н. Н. |
| Опубликовано: | Львов , 1983 |
| Физические характеристики: |
24 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||