Электрофизические свойства переключательных МДП-структур с туннельно-тонким диэлектриком и P-N-переходом в подложке: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Сарат. гос. ун-т им. Н. Г. Чернышевского
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Сивожелезов, В. И. |
| Опубликовано: | Саратов , 1991 |
| Физические характеристики: |
16 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr30585110000 | ||
| 005 | 20070615122039.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070615d1991 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Электрофизические свойства переключательных МДП-структур с туннельно-тонким диэлектриком и P-N-переходом в подложке $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f Сарат. гос. ун-т им. Н. Г. Чернышевского |
| 210 | # | # | $a Саратов $d 1991 |
| 215 | # | # | $a 16 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 15-16 (17 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Сивожелезов $b В. И. $g Виктор Иванович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070615 $g psbo |