Электрофизические свойства переключательных МДП-структур с туннельно-тонким диэлектриком и P-N-переходом в подложке: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Сарат. гос. ун-т им. Н. Г. Чернышевского
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Сивожелезов, В. И. |
| Опубликовано: | Саратов , 1991 |
| Физические характеристики: |
16 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||