Исследование условий низкотемпературной эпитаксии твердых растворов Si{н.инд.}(1-x)Ge{н.инд.}(x), (Ge2){н.инд.}(x) (GaAs){н.инд.}(1-x) и Si-Si{н.инд.}(1-x)Ge{н.инд.}(x)-GaAs (0≤X≤1) структур из раствора-расплава: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН ТССР, Физ.-техн. ин-т
Saved in:
| Format: | |
|---|---|
| Main Author: | Сапаев, Б. |
| Published: | Ашхабад , 1990 |
| Physical Description: |
20 с.
|
| Language: | Russian |
ОФХ отдела книгохранения
| All : 1 , available: 1 | Available Place a Hold | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||