Исследование электрофизических, фотоэлектрических свойств и рекомбинационных процессов в кристаллах InAs, In{н.инд.}(1-x)Ga{н.инд.}(x)As, InAs{н.инд.}(1-x-y)Sb{н.инд.}(x)Py и диодных структурах на основе InAs{н.инд.}(1-x-y)Sb{н.инд.}(x)Py: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН МССР, Ин-т прикл. физики
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Салихов, Х. М. |
| Опубликовано: | Кишинев , 1988 |
| Физические характеристики: |
18 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||