Исследование процессов дефектообразования в структурах с планарным геттером при высокодозовой имплантации: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН УССР, Ин-т полупроводников

Сохранено в:
Шифр документа: 114059/89,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Рудской, И. В.
Опубликовано: Киев , 1989
Физические характеристики: 16 с.
Язык: Русский
Е-документ: E-документ
00000cam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr29725820000
005 20150709084348.0
021 # # $a RU  $b [90-2727а] 
100 # # $a 20070608d1989 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a UA 
200 1 # $a Исследование процессов дефектообразования в структурах с планарным геттером при высокодозовой имплантации  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $f АН УССР, Ин-т полупроводников 
210 # # $a Киев  $d 1989 
215 # # $a 16 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 14-16 (16 назв.) 
615 # # $a Белорусский национальный документ 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Рудской  $b И. В.  $g Игорь Владимирович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070608  $g psbo 
856 4 # $u http://content.nlb.by/content/dav/nlb/DDC/AD/114059_89.pdf