Исследование процессов дефектообразования в структурах с планарным геттером при высокодозовой имплантации: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН УССР, Ин-т полупроводников
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Рудской, И. В. |
| Опубликовано: | Киев , 1989 |
| Физические характеристики: |
16 с.
|
| Язык: | Русский |
| Е-документ: |
E-документ
|
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 0 | Недоступно (См. ссылку на электронный ресурс) | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||