Математическое моделирование физических процессов в диодных структурах на основе варизонных полупроводников с высокой эффективностью излучательной рекомбинации: (05.13.16): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / Киев. гос. ун-т им. Т. Г. Шевченко
Enregistré dans:
| Format: | |
|---|---|
| Auteur principal: | Россохатая, Н. А. |
| Publié: | Киев , 1991 |
| Description matérielle: |
14 с.
|
| Langue: | Русский |
| Accès en ligne: |
E-документ
|
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 0 | Недоступно (См. ссылку на электронный ресурс) | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||