Математическое моделирование физических процессов в диодных структурах на основе варизонных полупроводников с высокой эффективностью излучательной рекомбинации: (05.13.16): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / Киев. гос. ун-т им. Т. Г. Шевченко
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Россохатая, Н. А. |
| Опубликовано: | Киев , 1991 |
| Физические характеристики: |
14 с.
|
| Язык: | Русский |
| Е-документ: |
E-документ
|
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 0 | Недоступно (См. ссылку на электронный ресурс) | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||