|
|
|
|
|
00000cam0a22000001ia4500 |
001 |
BY-NLB-rr29636580000 |
005 |
20140812084054.0 |
021 |
# |
# |
$a RU
$b [91-9222а]
|
100 |
# |
# |
$a 20070608d1991 y0rusy50 ||||ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a UA
|
200 |
1 |
# |
$a Математическое моделирование физических процессов в диодных структурах на основе варизонных полупроводников с высокой эффективностью излучательной рекомбинации
$e (05.13.16)
$e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
$f Киев. гос. ун-т им. Т. Г. Шевченко
|
210 |
# |
# |
$a Киев
$d 1991
|
215 |
# |
# |
$a 14 с.
|
615 |
# |
# |
$a Белорусский национальный документ
|
686 |
# |
# |
$a 05.13.16
$2 oksvnk
|
700 |
# |
1 |
$a Россохатая
$b Н. А.
$g Наталья Алексеевна
|
801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20070608
$g psbo
|
856 |
4 |
# |
$u http://content.nlb.by/content/dav/nlb/DDC/AD/143065_91.pdf
|