Математическое моделирование физических процессов в диодных структурах на основе варизонных полупроводников с высокой эффективностью излучательной рекомбинации: (05.13.16): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / Киев. гос. ун-т им. Т. Г. Шевченко

Сохранено в:
Шифр документа: 143065/91,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Россохатая, Н. А.
Опубликовано: Киев , 1991
Физические характеристики: 14 с.
Язык: Русский
Е-документ: E-документ
00000cam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr29636580000
005 20140812084054.0
021 # # $a RU  $b [91-9222а] 
100 # # $a 20070608d1991 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a UA 
200 1 # $a Математическое моделирование физических процессов в диодных структурах на основе варизонных полупроводников с высокой эффективностью излучательной рекомбинации  $e (05.13.16)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $f Киев. гос. ун-т им. Т. Г. Шевченко 
210 # # $a Киев  $d 1991 
215 # # $a 14 с. 
615 # # $a Белорусский национальный документ 
686 # # $a 05.13.16  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Россохатая  $b Н. А.  $g Наталья Алексеевна 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070608  $g psbo 
856 4 # $u http://content.nlb.by/content/dav/nlb/DDC/AD/143065_91.pdf