|
|
|
|
|
00000cam0a22000001ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr29413210000 |
| 005 |
20210430105551.0 |
| 010 |
# |
# |
$d Беспл.
|
| 021 |
# |
# |
$a RU
$b [84-65928]
|
| 100 |
# |
# |
$a 20070606d1984 y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a AZ
|
| 200 |
1 |
# |
$a Емкостные методы исследования глубоких уровней в полупроводниках
$f С. Г. Рзаев, С. Н. Рагимов, З. Н. Мамедов
|
| 210 |
# |
# |
$a Баку
$d 1984
|
| 215 |
# |
# |
$a 14 с.
|
| 225 |
2 |
# |
$a Препринт
$f АН АзССР, Ин-т физики
$v № 105
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиогр.: с. 13-14 (25 назв.)
|
| 345 |
# |
# |
$9 100 экз.
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24594
$a ПОЛУПРОВОДНИКИ
$2 DVNLB
|
| 675 |
# |
# |
$a 537.311.322
|
| 700 |
# |
1 |
$a Рзаев
$b С. Г.
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20070606
$g psbo
|
