Получение слаболегированного арсенида галлия методом жидкофазной эпитаксии и создание на его основе высоковольтных диодов и тиристоров: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (01.04.10) / АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Рахимов, У. Х. |
| Опубликовано: | Л. , 1988 |
| Физические характеристики: |
17 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||