Плазмохимическое осаждение пленок нитрида кремния для полупроводниковых СБИС: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.27.06) / АН УССР, Ин-т полупроводников
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Рассамакин, В. Я. |
| Опубликовано: | Киев , 1990 |
| Физические характеристики: |
16 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr29244030000 | ||
| 005 | 20070605172142.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070605d1990 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UA |
| 200 | 1 | # | $a Плазмохимическое осаждение пленок нитрида кремния для полупроводниковых СБИС $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук $e (05.27.06) $f АН УССР, Ин-т полупроводников |
| 210 | # | # | $a Киев $d 1990 |
| 215 | # | # | $a 16 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 13-16 (23 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 05.27.06 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Рассамакин $b В. Я. $g Владимир Яковлевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070605 $g psbo |