Плазмохимическое осаждение пленок нитрида кремния для полупроводниковых СБИС: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.27.06) / АН УССР, Ин-т полупроводников
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Рассамакин, В. Я. |
| Опубликовано: | Киев , 1990 |
| Физические характеристики: |
16 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||