Исследование свойств эпитаксиальных слоев GaAs и InAs и создание на их основе эффективных магниточувствительных приборов: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.12.18)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Портной, Г. Я. |
| Опубликовано: | М. , 1980 |
| Физические характеристики: |
18 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr28751370000 | ||
| 005 | 20070529161650.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070529d1980 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Исследование свойств эпитаксиальных слоев GaAs и InAs и создание на их основе эффективных магниточувствительных приборов $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук $e (05.12.18) |
| 210 | # | # | $a М. $d 1980 |
| 215 | # | # | $a 18 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: Моск. ин-т радиотехники, электроники и автоматики. Библиогр.: с. 17-18 (14 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 05.12.18 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Портной $b Г. Я. $g Григорий Яковлевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070529 $g psbo |