Исследование свойств эпитаксиальных слоев GaAs и InAs и создание на их основе эффективных магниточувствительных приборов: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.12.18)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Портной, Г. Я. |
| Опубликовано: | М. , 1980 |
| Физические характеристики: |
18 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||