Влияние примесей галогенов на строение и электрофизические параметры границ раздела Si-SiO2 и GaAs-ZnS: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.27.06) / Моск. ин-т тон. хим. технологии им. М. В. Ломоносова
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Портнов, С. М. |
| Опубликовано: | М. , 1990 |
| Физические характеристики: |
18 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||