Структура энергетических зон некоторых полупроводников типа A³B⁵ и A²B⁴C⁵₂: Автореферат дисс. на соискание учен. степени канд. физ.-мат. наук / Томский гос. ун-т им. В. В. Куйбышева. Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Поплавной, А. С. |
| Опубликовано: | Томск : Изд. Томского ун-та , 1967 |
| Физические характеристики: |
7 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr28656440000 | ||
| 005 | 20070529154202.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [67-95890] |
| 100 | # | # | $a 20070529d1967 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Структура энергетических зон некоторых полупроводников типа A³B⁵ и A²B⁴C⁵₂ $e Автореферат дисс. на соискание учен. степени канд. физ.-мат. наук $f Томский гос. ун-т им. В. В. Куйбышева. Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова |
| 210 | # | # | $a Томск $c Изд. Томского ун-та $d 1967 |
| 215 | # | # | $a 7 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 7 (14 назв.) |
| 700 | # | 1 | $a Поплавной $b А. С. |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070529 $g psbo |