Структура энергетических зон некоторых полупроводников типа A³B⁵ и A²B⁴C⁵₂: Автореферат дисс. на соискание учен. степени канд. физ.-мат. наук / Томский гос. ун-т им. В. В. Куйбышева. Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Поплавной, А. С. |
| Опубликовано: | Томск : Изд. Томского ун-та , 1967 |
| Физические характеристики: |
7 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||