Образование точечных ассоциированных дефектов в Si<P, O, Cu>, Si<P, O, Ag>, Si<P, O, Au>, Si<B, Fe> при распаде твердых растворов и γ-облучении: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.07)

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ452211,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Погарский, М. А.
Опубликовано: Л. , 1953
Физические характеристики: 12 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr28405500000
005 20070529142903.0
100 # # $a 20070529d1953 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Образование точечных ассоциированных дефектов в Si<P, O, Cu>, Si<P, O, Ag>, Si<P, O, Au>, Si<B, Fe> при распаде твердых растворов и γ-облучении  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.07) 
210 # # $a Л.  $d 1953 
215 # # $a 12 с. 
300 # # $a В надзаг.: Ленингр. политехн. ин-т им. М. И. Калинина. Библиогр.: с. 12 (8 назв.) 
675 # # $a 539.219.1:546.28 
686 # # $a 01.04.07  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Погарский  $b М. А.  $g Михаил Аркадьевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070529  $g psbo