Взаимное легирование полупроводников в системах Ge-In (Ga)P и GaAs-Cd(Zn)Se: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. хим. наук: (05.17.16)

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ474458СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Передерий, Л. И.
Опубликовано: М. , 1983
Физические характеристики: 28 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr28021340000
005 20070522153214.0
100 # # $a 20070522d1983 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Взаимное легирование полупроводников в системах Ge-In (Ga)P и GaAs-Cd(Zn)Se  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. хим. наук  $e (05.17.16) 
210 # # $a М.  $d 1983 
215 # # $a 28 с. 
300 # # $a В надзаг.: Моск. ин-т электрон. техники. Библиогр.: с. 26-28 (17 назв.). Для служеб. пользования 
675 # # $a 621.315.592.3:546.681'19 
686 # # $a 05.17.16  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Передерий  $b Л. И.  $g Лилия Иосифовна 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070522  $g psbo