Взаимное легирование полупроводников в системах Ge-In (Ga)P и GaAs-Cd(Zn)Se: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. хим. наук: (05.17.16)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Передерий, Л. И. |
| Опубликовано: | М. , 1983 |
| Физические характеристики: |
28 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||