МОС-гидридная эпитаксия и свойства многослойных структур GaAs, гетероструктур GaAs-InP и GaAs-Ga{н.инд.}(1-x)Al{н.инд.}(x)As для СВЧ-микроэлектроники: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Горьк. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Паршков, В. Г. |
| Опубликовано: | Горький , 1985 |
| Физические характеристики: |
26 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr27907570000 | ||
| 005 | 20070522150537.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070522d1985 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a МОС-гидридная эпитаксия и свойства многослойных структур GaAs, гетероструктур GaAs-InP и GaAs-Ga{н.инд.}(1-x)Al{н.инд.}(x)As для СВЧ-микроэлектроники $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f Горьк. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского |
| 210 | # | # | $a Горький $d 1985 |
| 215 | # | # | $a 26 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 23-26 (17 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Паршков $b В. Г. $g Вячеслав Григорьевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070522 $g psbo |