МОС-гидридная эпитаксия и свойства многослойных структур GaAs, гетероструктур GaAs-InP и GaAs-Ga{н.инд.}(1-x)Al{н.инд.}(x)As для СВЧ-микроэлектроники: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Горьк. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Паршков, В. Г. |
| Опубликовано: | Горький , 1985 |
| Физические характеристики: |
26 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||