Контроль электрофизических параметров эпитаксиальных структур на основе кремния и гетеросистемы ZnSe-GaAs: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (01.04.07) / АН СССР, Физ.-техн. ин-т Урал. отд-ния
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Ярцев, М. П. |
| Опубликовано: | Ижевск , 1990 |
| Физические характеристики: |
22 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr19891590000 | ||
| 005 | 20070521141142.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070521d1990 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Контроль электрофизических параметров эпитаксиальных структур на основе кремния и гетеросистемы ZnSe-GaAs $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук $e (01.04.07) $f АН СССР, Физ.-техн. ин-т Урал. отд-ния |
| 210 | # | # | $a Ижевск $d 1990 |
| 215 | # | # | $a 22 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 19-22 (19 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.07 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Ярцев $b М. П. $g Михаил Павлович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070521 $g psbo |