Контроль электрофизических параметров эпитаксиальных структур на основе кремния и гетеросистемы ZnSe-GaAs: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (01.04.07) / АН СССР, Физ.-техн. ин-т Урал. отд-ния
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Ярцев, М. П. |
| Опубликовано: | Ижевск , 1990 |
| Физические характеристики: |
22 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||