Внутреннее трение, обусловленное дефектами в бинарных полупроводниках: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: (01.04.07) / Воронеж. политехн. ин-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Ярославцев, Н. П. |
| Опубликовано: | Воронеж , 1992 |
| Физические характеристики: |
31 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr19879950000 | ||
| 005 | 20070521140727.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070521d1992 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Внутреннее трение, обусловленное дефектами в бинарных полупроводниках $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук $e (01.04.07) $f Воронеж. политехн. ин-т |
| 210 | # | # | $a Воронеж $d 1992 |
| 215 | # | # | $a 31 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 27-31 (48 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.07 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Ярославцев $b Н. П. $g Николай Петрович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070521 $g psbo |