|
|
|
|
|
00000nam0a22000001ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr18808020000 |
| 005 |
20070511155717.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20070511d1984 y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 200 |
1 |
# |
$a Электрические и фотоэлектрические свойства неидеальных гетеропереходов на основе кремния: GaAs/Si, GaP/Si, β-SiC/Si
$e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
$e (01.04.10)
|
| 210 |
# |
# |
$a Л.
$d 1984
|
| 215 |
# |
# |
$a 15 с.
|
| 300 |
# |
# |
$a В надзаг.: АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. Библиогр.: с. 13-15 (14; 4 назв.)
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$a Шаронова
$b Л. В.
$g Лариса Васильевна
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20070511
$g psbo
|
