Электрические и фотоэлектрические свойства неидеальных гетеропереходов на основе кремния: GaAs/Si, GaP/Si, β-SiC/Si: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Шаронова, Л. В. |
| Опубликовано: | Л. , 1984 |
| Физические характеристики: |
15 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||