Исследование влияния глубоких примесей и облучения на электрофизические характеристики кремниевых диодов Шоттки частотно-емкостным методом: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН УзССР. Физ.-техн. ин-т им. С. В. Стародубцева

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ327083,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Шакиров, У. А.
Опубликовано: Ташкент , 1978
Физические характеристики: 21 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr18702160000
005 20070507203022.0
021 # # $a RU  $b [78-5636а] 
100 # # $a 20070507d1978 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a UZ 
200 1 # $a Исследование влияния глубоких примесей и облучения на электрофизические характеристики кремниевых диодов Шоттки частотно-емкостным методом  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук  $f АН УзССР. Физ.-техн. ин-т им. С. В. Стародубцева 
210 # # $a Ташкент  $d 1978 
215 # # $a 21 с. 
300 # # $a Список работ авт.: с. 20 (10 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Шакиров  $b У. А.  $g Увайс Асылханович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070507  $g psbo