![](/themes/root/images/default-cover.png)
Исследование влияния глубоких примесей и облучения на электрофизические характеристики кремниевых диодов Шоттки частотно-емкостным методом: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН УзССР. Физ.-техн. ин-т им. С. В. Стародубцева
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Шакиров, У. А. |
Опубликовано: | Ташкент , 1978 |
Физические характеристики: |
21 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr18702160000 | ||
005 | 20070507203022.0 | ||
021 | # | # | $a RU $b [78-5636а] |
100 | # | # | $a 20070507d1978 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a UZ |
200 | 1 | # | $a Исследование влияния глубоких примесей и облучения на электрофизические характеристики кремниевых диодов Шоттки частотно-емкостным методом $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук $f АН УзССР. Физ.-техн. ин-т им. С. В. Стародубцева |
210 | # | # | $a Ташкент $d 1978 |
215 | # | # | $a 21 с. |
300 | # | # | $a Список работ авт.: с. 20 (10 назв.) |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Шакиров $b У. А. $g Увайс Асылханович |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070507 $g psbo |