Изготовление и C-V характеристики структур Si-Si₃N₄ и Si-SiO₂-Si₃N₄
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Чу, Т. |
| Опубликовано: | М. : ЦНИИ техн.-экон. исслед. и науч. информации , 1968 |
| Физические характеристики: |
24 с.
|
| Язык: | Русский |
| Серия: |
Переводы иностр. литературы. Серия: "Полупроводниковые приборы и микроэлектроника"
Пер. № 8/ЭТ-2898 |
| 00000nam0a22000001ib4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr18574120000 | ||
| 005 | 20070507202252.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070507d1968 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Изготовление и C-V характеристики структур Si-Si₃N₄ и Si-SiO₂-Si₃N₄ |
| 210 | # | # | $a М. $c ЦНИИ техн.-экон. исслед. и науч. информации $d 1968 |
| 215 | # | # | $a 24 с. |
| 225 | 2 | # | $a Переводы иностр. литературы. Серия: "Полупроводниковые приборы и микроэлектроника" $f М-во электронной пром-сти СССР $v Пер. № 8/ЭТ-2898 |
| 300 | # | # | $a На обл. авт. не указан |
| 675 | # | # | $a 539.216.2 |
| 700 | # | 1 | $a Чу $b Т. |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070507 $g psbo |