Компьютерное моделирование процессов роста полупроводниковых соединений A₃B₅ в методе молекулярно-пучковой эпитаксии и его разновидностях: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.01) / АН СССР, Ин-т аналит. приборостроения

Сохранено в:
Шифр документа: 173049/91,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Цырлин, Г. Э.
Опубликовано: Л. , 1991
Физические характеристики: 20 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr18203170000
005 20070503140235.0
100 # # $a 20070503d1991 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Компьютерное моделирование процессов роста полупроводниковых соединений A₃B₅ в методе молекулярно-пучковой эпитаксии и его разновидностях  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.01)  $f АН СССР, Ин-т аналит. приборостроения 
210 # # $a Л.  $d 1991 
215 # # $a 20 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 19-20 (13 назв.) 
686 # # $a 01.04.01  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Цырлин  $b Г. Э.  $g Георгий Эрнстович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070503  $g psbo