Компьютерное моделирование процессов роста полупроводниковых соединений A₃B₅ в методе молекулярно-пучковой эпитаксии и его разновидностях: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.01) / АН СССР, Ин-т аналит. приборостроения
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Цырлин, Г. Э. |
Опубликовано: | Л. , 1991 |
Физические характеристики: |
20 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr18203170000 | ||
005 | 20070503140235.0 | ||
100 | # | # | $a 20070503d1991 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Компьютерное моделирование процессов роста полупроводниковых соединений A₃B₅ в методе молекулярно-пучковой эпитаксии и его разновидностях $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.01) $f АН СССР, Ин-т аналит. приборостроения |
210 | # | # | $a Л. $d 1991 |
215 | # | # | $a 20 с. |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 19-20 (13 назв.) |
686 | # | # | $a 01.04.01 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Цырлин $b Г. Э. $g Георгий Эрнстович |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070503 $g psbo |