Компьютерное моделирование процессов роста полупроводниковых соединений A₃B₅ в методе молекулярно-пучковой эпитаксии и его разновидностях: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.01) / АН СССР, Ин-т аналит. приборостроения
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Цырлин, Г. Э. |
| Опубликовано: | Л. , 1991 |
| Физические характеристики: |
20 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||