Исследование остаточных электрически активных дефектов в эпитаксиальном арсениде галлия: (01.04.07): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН СССР. Сиб. отд-ние. Совет секции общей и прикл. физики Объедин. учен. совета по физ.-мат. и техн. наукам
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Хохлов, В. И. |
| Опубликовано: | Новосибирск , 1976 |
| Физические характеристики: |
19 с. : граф.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr17983920000 | ||
| 005 | 20070502154734.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [76-6771а] |
| 100 | # | # | $a 20070502d1976 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Исследование остаточных электрически активных дефектов в эпитаксиальном арсениде галлия $e (01.04.07) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук $f АН СССР. Сиб. отд-ние. Совет секции общей и прикл. физики Объедин. учен. совета по физ.-мат. и техн. наукам |
| 210 | # | # | $a Новосибирск $d 1976 |
| 215 | # | # | $a 19 с. $c граф. |
| 300 | # | # | $a Список лит.: с. 18-19 (11 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.07 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Хохлов $b В. И. $g Валерий Иванович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070502 $g psbo |