Исследование остаточных электрически активных дефектов в эпитаксиальном арсениде галлия: (01.04.07): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН СССР. Сиб. отд-ние. Совет секции общей и прикл. физики Объедин. учен. совета по физ.-мат. и техн. наукам
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Хохлов, В. И. |
| Опубликовано: | Новосибирск , 1976 |
| Физические характеристики: |
19 с. : граф.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||