Исследование дефектообразования в эпитаксиальных структурах полупроводниковых соединений A³B⁵: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра техн. наук: (05.17.16)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Хашимов, Ф. Р. |
| Опубликовано: | М. , 1983 |
| Физические характеристики: |
40 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr17817630000 | ||
| 005 | 20070502160211.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070502d1983 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Исследование дефектообразования в эпитаксиальных структурах полупроводниковых соединений A³B⁵ $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра техн. наук $e (05.17.16) |
| 210 | # | # | $a М. $d 1983 |
| 215 | # | # | $a 40 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: Моск. ин-т электрон. техники. Библиогр.: с. 33-40 (51 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 05.17.16 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Хашимов $b Ф. Р. $g Фаррух Рахимович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070502 $g psbo |