Исследование дефектообразования в эпитаксиальных структурах полупроводниковых соединений A³B⁵: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра техн. наук: (05.17.16)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Хашимов, Ф. Р. |
| Опубликовано: | М. , 1983 |
| Физические характеристики: |
40 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||