Разработка научных основ получения структур с заданным профилем распределения легирующей примеси в технологий эпитаксиального наращивания кремния: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра техн. наук: (05.27.06) / Моск. ин-т электрон. техники
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Харченко, В. В. |
| Опубликовано: | М. , 1986 |
| Физические характеристики: |
51 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||